【摘 要】
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采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Ras
【机 构】
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首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室,
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采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响.这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据.
The single-electron effective mass approximation theory, Floquet theory and transfer matrix method are used to study the spin-tunneling properties of single-electron in a double-quantum well with time-period field, and the InP / InAs semiconductor materials are numerically calculated. The effects of Rashba-type and Dresselhaus spin-orbit coupling, quantum well structure and bias on electron tunneling are also discussed.These results can provide some theoretical basis for the design and regulation of semiconductor spintronic devices.
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