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采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅基生长GaN晶体膜随着扩镓时间和氮化时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高.
不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析
【摘 要】
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采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅
【机 构】
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山东师范大学物理与电子科学学院
【出 处】
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分析科学学报
【发表日期】
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2005年3期
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