可调能隙的光电器件结构——(AlAs)_ (n_l)/(GaAs)_(m_l)渐变周期超晶格

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本文提出了一种具有渐变周期的(AlAs)_(nl)/(GaAs)_(ml)(1=1,2,…)超晶格,并采用递归方法计算了这种渐变周期超晶格的电子结构.其特点是带隙E_g在空间随(n_(?),m_(?))渐变.例如,对(AlAs)_4/(GaAs)_4(AlAs)_4、/(GaAs)_5/(AlAs)_4/(GaAs)_6/(AlAs)_4/(GaAs)_7结构,带隙由短周期一端的1.93eV变到长周期一端的1.78eV.同时导、价带边得到不同的调制,因而提高了电子与空穴电离率比值,有可能应用到作光电探测材料. This paper presents a (AlAs) _ (nl) / (GaAs) _ (ml) (1 = 1, 2, ...) superlattice with a gradual periodicity and uses a recursive method to calculate this gradient periodic superlattice (GaAs) _4 (AlAs) _4, / (GaAs) _5 / (GaAs) _5 / (GaAs) _5 / AlAs) _4 / (GaAs) _6 / (AlAs) _4 / (GaAs) _7 structure, the bandgap changes from 1.93eV at one end of the short period to 1.78eV at one end of the long period. At the same time, the valence band edges are differently modulated and thus Improve the electron and hole ionization rate ratio, it may be applied to make photoelectric detection materials.
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