【摘 要】
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本文用调Q红宝石脉冲激光器(波长6943A、脉宽30ns)以1.1～2.9J/cm~2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲
【机 构】
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上海光学精密机械研究所,上海冶金所,上海冶金所,上海冶金所,上海冶金所,上海冶金所,上海冶金所
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本文用调Q红宝石脉冲激光器(波长6943A、脉宽30ns)以1.1～2.9J/cm~2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲次数对欧姆接触电阻率的影响。结果表明,适当能量密度激光合金化所得到的接触电阻率同加热合金化最好结果相当或更好,激光合金化表面均匀,质量好,而且不影响半导体器件内结的特性。
In this paper, laser alloying is studied on N-type GaAs with Q-switched ruby pulsed laser (6943A wavelength, 30ns pulse width) with laser energy density of 1.1 ~ 2.9J / cm2. The effects of different GaAs epitaxial layer concentration, Layer composition, different laser pulses on the ohmic contact resistivity. The results show that the appropriate contact resistance of laser alloying with the appropriate energy density is the best or better than that of heat alloying. The laser alloying surface is uniform and of good quality, and does not affect the characteristics of the junction in the semiconductor device.
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