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对掺锗石英光纤的紫外光敏特性进行了实验研究.实验结果表明:未载氢光纤经过紫外光照射后折射率变化在10-4数量级;而载过氢光纤的折射率变化在10-3数量级,比未载氢的光纤折射率变化提高了一个数量级.载氢前后光纤的折射率变化随曝光时间的变化规律是不同的,这表明载氢前后光纤的光敏性微观机理是不同的.对载氢前后光纤的光敏性机理进行了分析与讨论,分别解释了未载氢光纤和载氢光纤的折射率随紫外光曝光时间的变化过程.