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功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率（di／dt），增强了寄生电感的负面作用，导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重，因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平，同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力，因此无需外加成本高昂的保护电路。