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闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩锁效应的原理及产生的条件,并从设计和工艺两方面详细介绍了防止和消除闩锁效应的方法。
CMOS电路抗闩锁研究
【摘 要】
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闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩锁效应的原理及产生的条件,并从设计和工艺两
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所,东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2009年1期
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