【摘 要】
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利用磁性半导体在铁磁谐振时的微弱温度上升而使电阻率发生变化来探测谐振。掺In的HgCr2Se4或CdCr2Se4在温度低于居里点时,其电阻强烈地依赖于温度,所以可用此方法高灵敏度地
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利用磁性半导体在铁磁谐振时的微弱温度上升而使电阻率发生变化来探测谐振。掺In的HgCr2Se4或CdCr2Se4在温度低于居里点时,其电阻强烈地依赖于温度,所以可用此方法高灵敏度地探测谐振。作为应用的一例,进行了测量具有方向性的微波功率和频率的试验。把HgCr2Se4单晶体安置在波导管中的射频磁场旋转部分,外加使其发生铁磁谐振的磁场。向一个方向传输的波由于谐振使电阻增加,可根据电阻的增加量来测量传输功率,而且由谐振场的值可测量预率。由于对反方向的波不发生谐振,所以可区别入射波和反射波的功率并进行测量,即具
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