温度对Ar^＋诱导Au—Si界面原子混合的影响

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：storm369

【摘要】

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本文在77至573K温区研究了Ar+诱导的Au-Si【111】界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q（S）i—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不

【作者】

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李玉璞陈坚刘家瑞章其初

【机构】

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北京大学技术物理系,中科院物理研究所,中科院物理研究所北京,北京

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

1989年2期

【关键词】

：

温度 Ar^+ 诱导 Au-Si 界面原子 Au-Si interface ion beam mixing temperature effect

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本文在77至573K温区研究了Ar+诱导的Au-Si【111】界面的原子混合现象。温度对混合结果有强烈的影响。Q（S）i—T曲线的特征与Cr-Si等体系是不同的;得到了具有确定组份比的Au48Si51（≈AuSi）均匀混合层;T】32℃时,深入到Si中的Au原子呈指数衰减的尾巴,

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