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在电子碰撞的情形下，通过对铜靶的特征Ｘ射线测量，从而推算出它的Ｋ壳层电离截面。在实验中采用了薄靶厚衬底新方法。通过电子输运计算，由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正。用蒙特卡罗技术对质量厚度为２３μｇ／ｃｍ＾２的铜靶的多次散射影响作了修正。
电子碰撞引起的铜元素K壳层电离截面的测量与修正
【摘 要】
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在电子碰撞的情形下，通过对铜靶的特征Ｘ射线测量，从而推算出它的Ｋ壳层电离截面。在实验中采用了薄靶厚衬底新方法。通过电子输运计算，由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正
【机 构】
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四川大学原子核科学技术研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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教育部科学技术重点项目资助!( 992 0 2)
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