【摘 要】
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<正> AUGe Ni—GaAs欧姆接触通常在450℃下合金而成,由于合金温度大于AuGe共熔点363℃,实验中已观察到金属“球聚”和GaAs界面富Ni—As—Ge和富Au—Ga区域的不均匀现象,使得
【机 构】
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骊山微电子学研宄所,骊山微电子学研宄所陕西临潼,陕西临潼,陕西临潼
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<正> AUGe Ni—GaAs欧姆接触通常在450℃下合金而成,由于合金温度大于AuGe共熔点363℃,实验中已观察到金属“球聚”和GaAs界面富Ni—As—Ge和富Au—Ga区域的不均匀现象,使得电流不均匀地流过界面,影响了GaAs器件的长期热稳定可靠性。烧结欧姆接触,利用固相反应,能产生均匀的M—S(金属一半导体)界面,但温度范围过窄(350℃<T<363℃),整个过程所用时间过长(1L)。本文报道一种快速热处理(RTP)形成AuGeNi—GaAs欧姆接触的方法,具有所用温度
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