【摘 要】
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应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒, 晶粒平均直径
【机 构】
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五邑大学薄膜与纳米材料研究所,中山大学超快速激光光谱国家重点实验室,香港中文大学电子工程系暨材料科技研究中心
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应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒, 晶粒平均直径为1.5-3.2*!nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5-2*!eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子-重空穴激子与电子-劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应.
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