【摘 要】
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用强流脉冲离子束(HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟(ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜.经计算得知:二次等离子体
【机 构】
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大连轻工业学院玻璃及无机新材料研究所,大连理工大学离子束、电子束和激光束材料改性国家重点联合实验室
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用强流脉冲离子束(HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟(ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜.经计算得知:二次等离子体的密度约1020 atoms/cm3,温度以实验的电子能量(ET0)表示约为14 eV,在玻璃表面瞬时沉积速率达2 cm/s,比其它传统镀膜方法大几个数量级;并且瞬间在玻璃表面产生约2 200℃的高温.经一次脉冲发射可制得65nm厚的膜.EDX数据表明薄膜与靶材的化学组成相近.通过原子力显微镜(AFM)图像分析膜的表面形貌,在1 μ
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