【摘 要】
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通过退火过程原位电阻测试、电阻—温度特性测试和扫描电镜（SEM）测试,研究了退火温度和退火时间对Al N基片上磁控溅射制备的Mn-Co-Ni-O系负温度系数（NTC）热敏电阻薄膜性能与微观
【机 构】
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哈尔滨工业大学物理系,新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,广东风华高新科技股份有限公司研究院
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通过退火过程原位电阻测试、电阻—温度特性测试和扫描电镜（SEM）测试,研究了退火温度和退火时间对Al N基片上磁控溅射制备的Mn-Co-Ni-O系负温度系数（NTC）热敏电阻薄膜性能与微观形貌的影响.实验结果表明,功能层在450℃附近开始结构弛豫和晶化过程,晶化初期电阻下降;由于Al N基片与NTC薄膜材料之间存在键性差异,晶化收缩会导致薄膜中出现孔洞,造成恒温段电阻升高;恒温退火的温度越高,退火后样品B值越高,晶化收缩越剧烈,电阻增加越快;恒温时间越长,样品电阻增加越多,恒温时间对B值没有影响.
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