UHV/CVD Low-Temperature Si Epitaxy Used for SiGe HBT

来源 :中国稀土学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：songchuans

【摘要】

：

Low-temperature-epitaxy n-type silicon layers were grown on arsenic-doped n+-type silicon substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHV/CV

【作者】

：

Huang Wentao Shen Guanhao Li X

【机构】

：

InstituteofMicroelectronics

【出处】

：

中国稀土学报：英文版

【发表日期】

：

2004年z2期

【关键词】

：

UHV/CVD low temperature Si EPITAXY DOPANT profile SiGe HBT

【基金项目】

：

Project supported by National "863" High Technology Research and Development Project (2002AA3Z1230).

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Low-temperature-epitaxy n-type silicon layers were grown on arsenic-doped n+-type silicon substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD). The transition region thickness of the Si layers grown under different PH3 flux and differe

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