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新材料应变硅已成为目前高性能小尺寸半导体器件的研究热点，研究应变硅器件散射机制有利于理解载流子输运特性的物理机制。因此沟道和漏极区域分别建立了应变模型和散射模型，采用数值模拟方法对比研究了短沟道应变硅二极管中电子的输运特性。模拟结果表明，对于漏极区域中的散射模型，非弹性散射均促使器件的性能增强，而弹性散射则导致器件性能衰弱，这是由于应变诱导的能级分裂束缚了光学声子散射；相对于沟道区域，漏极区域的应变模型和散射机制对于短沟道硅二极管性能的影响较大。因此，对于短沟道半导体器件，除了探讨沟道区域应变和散射机制之