【摘 要】
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作者利用正电子湮灭寿命谱（PAL）、光激电流瞬态谱（PICTS）及Hall效应，研究了非掺杂半绝缘（SI）InP中补偿缺陷的形成，即在磷化铁（IP）及纯磷（PP）气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化，从而探
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作者利用正电子湮灭寿命谱（PAL）、光激电流瞬态谱（PICTS）及Hall效应，研究了非掺杂半绝缘（SI）InP中补偿缺陷的形成，即在磷化铁（IP）及纯磷（PP）气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化，从而探讨原生非掺InP形成SI态的机制．实验的原始材料都是用液封直拉法（LEC）生长的n型非掺InP．对原生InP，铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱，VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因．在IPSI—InP的形成中，Fe原子扩散进入VIn，可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制了
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