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利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提高微波功率是降低微波ＥＣＲ－ＣＶＤ低温ＳｉＮｘ膜中氢含量的可能途径。
微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析
【摘 要】
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利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在低温条件下制备的ＳｉＮ。膜的键的结构和氢含量，分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因，提出适当提
【机 构】
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苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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1998年1期
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