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在制作场发射显示器（FED）下基板的工艺过程中，设计了两种方案来制作下基板的阴栅极，用扫描电镜观察所得样品的横截面，并计算出各结构尺寸，分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法，测试介质在中性溶液中浸泡不同时间后的耐压曲线，并分析击穿电压降低的原因。
FED下基板制作工艺及介质的耐压特性研究
【摘 要】
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在制作场发射显示器（FED）下基板的工艺过程中，设计了两种方案来制作下基板的阴栅极，用扫描电镜观察所得样品的横截面，并计算出各结构尺寸，分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中
【机 构】
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彩虹集团公司（北京）技术中心
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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2010年2期
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