低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tt7506

【摘要】

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以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延

【作者】

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梁宗存沈辉胡芸菲许宁生

【出处】

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太阳能学报

【发表日期】

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2003年z1期

【关键词】

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晶体硅薄膜电池颗粒硅带快热化学气相沉积沉积衬底

【基金项目】

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中国科学院"百人计划"资助项目(99-019-422288),国家"863"计划(2001AA513060),德国空间与航天部(DLR)资助项目.

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以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.

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