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半导体器件的中子辐射效应是开展辐射损伤等效性研究的一个重要实验途径，为获得精密的辐射损伤等效系数，需要对半导体器件进行选择。在半导体器件基本选用原则的基础上，从微观机理到宏观工程应用方面阐述了器件类型的确定依据，通过实验摸索出器件性能选择条件，从器件的质量、批次、参数一致性等方面提出了改进措施，形成了比较全面的半导体器件选择方法，具有应用价值。采用该方法挑选出3DG121C双极晶体管应用于某快中子临界装置与CFBR－II堆之间的辐射损伤等效性研究，获得了等效系数为1．19，满足现阶段抗辐射加固及中子辐射效