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采用人造刚玉高温炉管对4H—SiC进行1620C的离子注入后退火，实验测试发现，在刚玉管壁析出的微量铝的作用下，SiC表面与残余的氧成分反应生成衍生物SiOC，造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低．分别采用该种样片和正常样片制作了单栅MESFET，对比测试的欧姆接触和I-V输出特性，评估了高温退火后材料表面对器件的影响。