【摘 要】
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典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压VEB和具有正温度系数的热电压Ⅵ相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源．但是VEB与温度
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室
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典型的带隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压VEB和具有正温度系数的热电压Ⅵ相补偿产生零温度系数的基准带隙电压源．但是VEB与温度不是线性关系，因此VREF需要被校正．本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS带隙基准电压源．采用0．5μMCMOS工艺、工作电压为3．3V，该芯片室温下功耗为94μW．设计在0℃～75℃有效温度系数达到了0．7ppm／℃．
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