【摘 要】
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在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60～1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层.实验表明:沉积电位在-0.72～-0.75V(vs SCE)
【基金项目】
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福建省教育厅科研项目;福州大学校科研和教改项目;福州大学校科研和教改项目
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在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60～1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层.实验表明:沉积电位在-0.72～-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1:1的理想值.用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜.用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好.通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω·cm.
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