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期刊论文
铁电存储器研究进展
铁电存储器研究进展
来源 :信息记录材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhrmghgws001
【摘 要】
:
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器.介绍了铁电存储器的存储原理、特点
【作 者】
:
周志刚
王耘波
王华
于军
谢基凡
郭冬云
【机 构】
:
华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
:
信息记录材料
【发表日期】
:
2002年1期
【关键词】
:
铁电存储器
研究进展
铁电薄膜
FRAM
FFET
ferroelectric memories
ferroelectric films
FRAM
FFET
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铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器.介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等.
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