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基于扩展的SSH模型,采用非绝热动力学方法,研究高电场下一维有机共轭聚合物的电性质。发现在足够高的电场下,价带中的电子可以穿过带隙进入导带,即有机聚合物中的齐纳隧穿现象。伴随电子的带间隧穿,带隙消失,发生从绝缘体（半导体）到金属的相变（I-M相变）,晶格结构同时发生重大变化。
有机共轭聚合物材料中的齐纳隧穿
【摘 要】
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基于扩展的SSH模型,采用非绝热动力学方法,研究高电场下一维有机共轭聚合物的电性质。发现在足够高的电场下,价带中的电子可以穿过带隙进入导带,即有机聚合物中的齐纳隧穿现
【机 构】
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山东大学物理学院,山东潍坊教育学院
【出 处】
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济南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2009年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金（10574082）,山东省自然科学基金（Z2005A01）
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