单分散SiO2微球的合成及胶体晶体的生长

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对传统的“Stober-Fink”合成SiO2微球的工艺进行了改进,运用“耔晶生长法”合成了单分散SiO2微球,该法可以准确地控制微球尺寸,提高微球的球形度。采用垂直沉积法制备了胶体晶体,并对样品的结构并口光学性能进行了表征。研究了微球尺寸对垂直沉积SiO2胶体晶体光子带隙的影响,结果表明,通过控制微球粒径,可调节光子晶体的带隙位置。
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