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报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb／InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器。器件材料生长采用固态源分子束外延的方法。器件有源层采用应变补偿量子阱结构，激光器结构中引入了加宽波导的设计。制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60℃，激射波长2．08μm。室温下阈值电流为350mA，20～50℃范围内特征温度为88K。