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采用射频（RF）磁控溅射法在P型（100）Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性。结果显示：在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理论值25。
溅射功率对RF磁控溅射HfO_2薄膜介电特性的影响
【摘 要】
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采用射频（RF）磁控溅射法在P型（100）Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性。结果显示：在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理
【机 构】
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北京科技大学应用学院物理系
【出 处】
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科技咨询导报
【发表日期】
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2007年26期
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