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ＳｉＣ材料在用作特殊的高温大功率和高速器件方面引起关注是由于它独特的物理和电学性质。本文介绍了ＳｉＣ的基本特性，ＳｉＣ薄膜的ＣＶＤ法和溅射法生长技术，详细地报导和讨论了ＳｉＣ器件的最新进展，并指出存在的问题及发展趋势。
SiC材料与器件
【摘 要】
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ＳｉＣ材料在用作特殊的高温大功率和高速器件方面引起关注是由于它独特的物理和电学性质。本文介绍了ＳｉＣ的基本特性，ＳｉＣ薄膜的ＣＶＤ法和溅射法生长技术，详细地报导和讨论了ＳｉＣ器件的最新进展，并指出
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1995年5期
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