论文部分内容阅读
,The conductive mechanisms of a titanium oxide memristor with dopant drift and a tunnel barrier
【机 构】
:
Embedded System and Solid-State Engineering Technology Center, School of Electronic Science and Engi
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2013年8期
其他文献
美国纽约一家公司推出二十世纪电视图像百科全书。该书全长七十五小时,其中包括本世纪二千二百多起重大事件,以及一些著名政治家的传记,基本反映了本世纪人类重大的政治、经
,Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOS