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研究了不同偏置条件下半导体激光器的微分输出功率与端面反射率的关系,为主动法控制半导体光放大器端面减反射膜的镀制提供了必要的使用判据。镀膜实验证实了理论预测,使用本判据有助于提高镀膜的可靠性。更多还原
利用半导体激光器功率—电流曲线斜率的变化控制AR膜的镀制
【摘 要】
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研究了不同偏置条件下半导体激光器的微分输出功率与端面反射率的关系,为主动法控制半导体光放大器端面减反射膜的镀制提供了必要的使用判据。镀膜实验证实了理论预测,使用本
【机 构】
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四川大学物理系,四川大学物理系成都610064,成都610064,成都610064
【出 处】
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量子电子学
【发表日期】
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1990年4期
【基金项目】
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国家教委博士点基金,自然科学基金~~
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