等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱

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以等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在 30 0℃下用 Si H4和 O2 混合气体制备了非晶 Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H,0≤ x≤ 2 .0 )薄膜 ,并用傅里叶红外光谱 (FT- IR)测试分析了薄膜中的 Si— O— Si键红外吸收特性 .Si— O— Si伸缩振动模在 10 5 0 cm- 1和 115 0 cm- 1附近有两个吸收峰 ,而弯曲振动模在 80 0 cm- 1附近有一个吸收峰 . 10 5 0 cm- 1和115 0 cm- 1 吸收带的吸收强度之和 Isum与薄膜中的 Si原子密度 NSi之比 Isum/ NSi在氧含量 x =0— 2 .0的范围内和 x成正比 .求得氧含量比例系数 ASi O (Si— O谐振子强度的倒数 )为 1.48× 10 1 9cm- 1 .另外 ,a- Si O2 薄膜的 80 0 cm- 1和 10 5 0 cm- 1 吸收峰的表观吸收系数αapp和膜厚 d成正比 :αapp=kd,求得吸收比例系数 k分别为 3.2× 10 3和 2 .9×10 4cm- 1 .比较发现 k值的大小和 a- Si O2 薄膜的致密性密切相关 .利用上述 ASi O和 k比例系数 ,可快速简便地用非破坏性的 FT- IR测定 PECVD a- Si Ox∶ H的氧含量 x以及 a- Si O2 的膜厚 d.
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