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研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置.在Ar+He气氛下对粒度为10～150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化,球化率达90%.
直流电弧等离子体球化U3Si2粉体
【摘 要】
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研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置.在Ar+He气氛下对粒度为10～150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化,球化率达90%.
【机 构】
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中国科学院力学研究所,北京,100081
【出 处】
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中国粉体技术
【发表日期】
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2004年期
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