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采用磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术，在室温、钛合金和si（100）单晶表面制备了TiAlN薄膜．利用SEM、XRD、EDS和XPS等对薄膜的微观组织结构及化学组分进行了观察测试分析，探讨了磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术的工艺参数对TiAlN薄膜结构的影响．
TiAlN薄膜的磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积制备的研究
【摘 要】
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采用磁过滤脉冲真空弧等离子反应沉积技术，在室温、钛合金和si（100）单晶表面制备了TiAlN薄膜．利用SEM、XRD、EDS和XPS等对薄膜的微观组织结构及化学组分进行了观察测试分析，探讨了
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2011年3期
【基金项目】
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国家973计划课题资助项目（2010CB832905）,教育部重点科技资助项目（108124）
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