SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究

来源 :光散射学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zmmzoo

【摘要】

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本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究.对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬

【作者】

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郭丰张静龚敏刘伦才杨晨谭开洲石瑞英

【机构】

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四川大学物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,微电子技术四川省重点实验室,微电子技术四川省重点实验室,微电子技术四川省重点实验室

【出处】

：

光散射学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

SIGE/SI异质结 PL光谱位错 D-Band发光 SiGe/Si heterojunction PL spectrum Dislocation D-Ban

【基金项目】

：

本文由模拟集成电路国家重点实验室基金项目支持,项目编号:51439040105SC02

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本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究.对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错.由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错.通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关.

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