【摘 要】
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针对芬顿反应CMP抛光GaN晶片的抛光液，开展以表面质量为评价指标的参数优化试验，找出抛光液组分的最优配比。结果表明：当H2O2质量分数为7.5%时，GaN晶片加工表面效果最优，表面粗糙度达到3.2 nm；催化剂能有效调节芬顿反应的速率，对比液体催化剂FeSO4溶液和固体催化剂Fe3O4粉末，固体催化剂Fe3O4粉末能在溶液中持续电离Fe2+，使芬顿反应能在整个加工过程中持续作用。当Fe3O4粉末
【基金项目】
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国家自然科学基金（52075102、52175385）； NSFC-广东省联合基金（U1801259）； 广东省基础与应用基础研究基金（2019A1515011243）； 佛山市科技创新团队专项（2018IT100242）；
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针对芬顿反应CMP抛光GaN晶片的抛光液，开展以表面质量为评价指标的参数优化试验，找出抛光液组分的最优配比。结果表明：当H2O2质量分数为7.5%时，GaN晶片加工表面效果最优，表面粗糙度达到3.2 nm；催化剂能有效调节芬顿反应的速率，对比液体催化剂FeSO4溶液和固体催化剂Fe3O4粉末，固体催化剂Fe3O4粉末能在溶液中持续电离Fe2+，使芬顿反应能在整个加工过程中持续作用。当Fe3O4粉末粒径为20 nm时，抛光效果最佳，表面粗糙度达到3.0 nm；对比氧化铝、氧化铈、硅溶胶磨料，硅溶胶磨料抛光的表面效果最佳，晶片表面粗糙度达到3.3 nm；当硅溶胶磨料质量分数为20.0%，磨料粒径为60 nm时，抛光后晶片表面粗糙度达到1.5 nm。抛光液组分优化后，采用最优的抛光液组分参数抛光GaN晶片，其能获得表面粗糙度为0.9 nm的光滑表面。
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