【摘 要】
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重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察
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重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。
Focusing on the growth of YSZ (Y-stabilized ZrO2) buffer layer and Bi-Sr-Ca-Cu-O superconducting thin film on Si substrate by off-axis RF sputtering, the superconducting transition temperature of 82K (Ton). The YSZ and BSCCO films grown under different conditions were observed by scanning atomic force microscope and atomic force microscope. The new function of YSZ crystal grains filling pinholes on Si substrate was proposed, and the spiral columnar growth mechanism of BSCCO films was verified.
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