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遗传算法在单电子器件I—V特性的半经典拟合中的应用
遗传算法在单电子器件I—V特性的半经典拟合中的应用
来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:heying423
【摘 要】
:
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合.我们发现该算法的拟会结果效果很好.
【作 者】
:
何红波
周继承
【出 处】
:
量子电子学报
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
单电子器件
遗传算法
半经典拟合
single electron transistor
master equation
genetic algorithm
【基金项目】
:
国家自然科学基金!69890227,69971007,,霍英东基金
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本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合.我们发现该算法的拟会结果效果很好.
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