论文部分内容阅读
利用自动张量低能电子衍射（ATLEED）定量地研究Si(111)-(√3×√3）R30°-Ga重构表面的原子结构。证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标。可 靠性因子RVHT＝0．143表明理论计算和实验符合得非常好。
Si（111）—（√3×√3）R30°—Ga表面原子结构
【摘 要】
：
利用自动张量低能电子衍射（ATLEED）定量地研究Si(111)-(√3×√3）R30°-Ga重构表面的原子结构。证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶
【机 构】
：
华南建设学院西院基础部
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2001年4期
其他文献
基于电流环振结构，同时应用了负延迟前接机制，实现了一种新型的双环路电流型压控振荡器结构，不仅提高了压控振荡器的振荡频率，而且也优化了噪声特性。设计采用1.2um上海贝岭BsimC
在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件．模拟表明，LOCOS场
音乐教育经过一次次的改革探索,确立了新课标改革的实施,现在的中小学音乐教育,越来越趋向灵活、多项、综合地培养孩子的综合能力。器乐教学作为音乐教育的一种,它也在不断地
描述了DC－200GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺。开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构，形成一个单刀单掷（SPST）并联设置的金属－绝缘体－金属接触。开关通过上下电极之间的静电力进行控
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台
概念教学是初中数学教学的一个重要方面,但长期以来,概念教学因其概念自身所特有的高度抽象性和理论性,使不少的学生感到艰深难懂。再加上从初一到初三各个数学概念间有着自
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法，并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法，提出了常温下针对4H-SiC射频功率MESFET的大信号非线性电容模型。此模型在低
设计了一套适用于二种工艺的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺 半绝缘ＧａＡｓ衬底上制备ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴｓ器件。研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应以及不同距离
随着传播技术的发展，媒介形态和传播过程发生了一系列变化，传统新闻史教学也日益面临越来越大的挑战。因此，在新媒体背景下，新闻史课程需要进行系列的混合式教学改革。