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双KTP晶体串接倍频可以克服离散效应并补偿相位失配。本文对串接倍频进行了理论分析与实验观测,指出最佳串接方位。理论分析与实验结果符合很好。
双KTP晶体倍频过程的实验研究——腔外串接倍频
【摘 要】
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双KTP晶体串接倍频可以克服离散效应并补偿相位失配。本文对串接倍频进行了理论分析与实验观测,指出最佳串接方位。理论分析与实验结果符合很好。
【机 构】
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山西大学光电研究所,太原030006
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1991年11期
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