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文章研究了匹配电路的带宽影响因素,基于GaAs芯片工艺,设计了宽带匹配的IPD,实现了GaN功率HEMT为300~2000 MHz,连续波输出功率为10 W的电路设计,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。器件尺寸小,带宽宽,充分显示了IPD在宽带电路设计中的应用。
基于IPD宽带的大功率内匹配功率管设计
【摘 要】
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文章研究了匹配电路的带宽影响因素,基于GaAs芯片工艺,设计了宽带匹配的IPD,实现了GaN功率HEMT为300~2000 MHz,连续波输出功率为10 W的电路设计,并使整个电路的输入、输出电
【机 构】
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南京控维通信科技有限公司
【出 处】
：
无线互联科技
【发表日期】
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2020年17期
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