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为了分析复杂波形脉冲注入对集成电路的损伤特点，找出不同波形参数的脉冲注入损伤效应相关性，用方波脉冲和不同模型的静电放电（ESD）对5种具有典型代表意义的集成电路器件进行注入损伤效应实验，并给出了器件的损伤电压、损伤功率、损伤能量等值。采用曲线拟合的分析法，基于实验数据建立起脉冲特性参数与器件损伤参数间的数学关系，其函数拟合精度很高，可为进一步研究器件的电磁损伤机理提供指导。实验结果表明：能量型损伤为集成电路器件损伤的一种主要形式，其损伤机理是由于在PN结上的能量积累使得温度升高而最终热烧毁。各器件的能量损