【摘 要】
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在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管（HV LED）进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,上海半导体照明工程技术研究中心
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在120℃的环境温度下,对两组GaN基白光高压发光二极管（HV LED）进行了电流对比加速老化实验。实验中,分别向两组HV LED通入20mA和30mA的恒流电流,通过其老化前后光色电性能参数、I-V曲线以及光照度的变化,分析老化的内在机理;根据样品在不同波段的光谱能量变化及其比值,找出LED老化中主要的影响因素。研究结果表明,随着老化时间的增加,芯片电极的欧姆接触退化,以及芯片材料中的缺陷增多,使HV LED电极脱落、芯片发生严重断裂,从而导致芯片老化失效。
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