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研究了自组织生长模式（S-K modes）下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算。研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移。另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小。
尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响
【摘 要】
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研究了自组织生长模式（S-K modes）下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算。研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展
【机 构】
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上海电力学院电子科学与技术系,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2008年3期
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