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研究并发明四氯化锗负压抽真空除氢杂质工艺,通过试验回流比(10:1)、全回流时间(3h)、抽真空排气时间(10h)、氮气补充量(30~40)L/h对深度提纯效率的影响为最佳,检验高纯四氯化锗中含氢杂质(-OH,-CH,HCl)红外吸收峰透过率达97%以上。
高纯GeCl4中负压抽真空除氢杂质的工艺研究
【摘 要】
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研究并发明四氯化锗负压抽真空除氢杂质工艺,通过试验回流比(10:1)、全回流时间(3h)、抽真空排气时间(10h)、氮气补充量(30~40)L/h对深度提纯效率的影响为最佳,检验高纯四氯
【机 构】
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西安铁道职业学校
【出 处】
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设备管理与维修
【发表日期】
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2019年4期
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