【摘 要】
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对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa 1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了PLE及极化PL谱的测量.进一步探讨有序结构AlGaInP中在55～84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源.PLE谱的测
【机 构】
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厦门大学物理学系,福建,厦门,361005
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对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa 1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了PLE及极化PL谱的测量.进一步探讨有序结构AlGaInP中在55～84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源.PLE谱的测量表明子能带的存在,其能级的差异正好处在高温区激活能内,是引起温度反常现象的原因.通过从17 K到112 K的极化PL谱测量并未发现价带中Г4和Г5,6子带的分裂.推测在AlGaInP中,由晶格有序的超晶格效应引起晶体导带从L点到布里渊区的Г点的折叠效应.在温度大于55 K时,导带的载流子获得足够的能量从Г带跃迁到L带,而导致了PL谱的温度反常行为.
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