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Design and analysis of a highly-integrated CMOS power amplifier for RFID readers

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chen_d031

【摘 要】

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To implement a fully-integrated on-chip CMOS power amplifier(PA) for RFID readers,the resonant frequency of each matching network is derived in detail.The highl

【作 者】

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高同强 张春 池保勇 王志华 

【机 构】

：

DepartmentofElectronics,InstituteofMicroelectronics

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2009年6期

【关键词】

：

amplifier matching resonant disadvantage bonding highlight transistor drain mutu 

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To implement a fully-integrated on-chip CMOS power amplifier(PA) for RFID readers,the resonant frequency of each matching network is derived in detail.The highlight of the design is the adoption of a bonding wire as the output-stage inductor.Compared with

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