Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：richardwang_wjw

【摘要】

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研究了纯Fe膜在200～600℃硫化10h及500℃硫化1～10h条件下形成FeS2薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上

【作者】

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孟亮黄伟刘艳辉

【机构】

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浙江大学金属材料研究所

【出处】

：

太阳能学报

【发表日期】

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2002年3期

【关键词】

：

FES2薄膜硫化光吸收电阻率 FeS-2 film sulfidation absorption coefficient resistiv

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研究了纯Fe膜在200～600℃硫化10h及500℃硫化1～10h条件下形成FeS2薄膜过程中的结构、光吸收、禁带宽度及电阻率的变化规律.纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生,但只有在300℃以上硫化时,薄膜才会出现明显的禁带宽度,并随硫化温度升高,禁带宽度下降.硫化时间对薄膜禁带宽度影响不明显.随硫化温度升高及硫化时间延长,薄膜电阻率上升.由于硫化参数的变化能够引起薄膜相结构、晶体缺陷及薄膜完整性的变化,因此可以导致薄膜光电性能的变化.

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