SnS薄膜的制备及其特性研究

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hanbing5

【摘要】

：

以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜.用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征.XR

【作者】

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郑春蕊雷天民胡永红李红生刘守智

【机构】

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西安理工大学电子工程系,西安理工大学材料工程系

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

硫化锡薄膜化学浴氯化铵表征 SnSthin filmschemical bathNH4Clcharacterization

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以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜.用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征.XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SEM测量结果显示薄膜晶粒尺寸为数十纳米.此外,本文还简要分析了氯化铵在反应中的作用.

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